Dünne Schichten schnell erzeugen

Die CVD-Technologie (Chemical Vapor Deposition) bringt dünne Schichten auf Materialien unterschiedlichster Qualitäten auf. Dabei wird aus gasförmigen Stoffen ein festes Beschichtungsmaterial erzeugt, das sich auf dem Substrat als kristalline oder amorphe Schicht absetzt.

In herkömmlichen Beschichtungsprozessen spaltet sich das Prozessgas erst an der erhitzten Substratoberfläche in seine Reaktionsprodukte auf. Bei der plasmaunterstützten Gasphasenabscheidung (PECVD - Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) findet diese Reaktion schon vorher statt.

Schema: Prinzip der Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
Prinzip des PECVD-Prozesses

Das entstehende Schichtmaterial lagert sich dann auf dem Substrat ab. Der Beschichtungsprozess ist daher bei höherer Auslastung des Prozessgases schneller.

Ein großer Vorteil von PECVD sind die wesentlich niedrigeren Temperaturen. Sie liegen unter 500 Grad Celsius und schonen somit die zu beschichtenden Substratwerkstoffe.

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PECVD