Strukturieren im Nanobereich

Das Plasma-Ätzen (Dry Etching) trägt von einer Festkörperoberfläche kontrolliert Material ab. Durch ionisierte Moleküle eines Prozessgases entstehen Ionen, die in einem elektrischen Feld beschleunigt werden und auf die Oberfläche des Substrats treffen.

Beim Plasma-Ätzen gibt es zwei unterschiedliche Varianten. Im ersten Fall reagieren die auftreffenden Ionen mit den Substratteilchen zu gasförmigen Verbindungen. In der anderen Variante schlagen die auftreffenden Ionen aufgrund des Impulsübertrages beim Aufprall Teilchen aus der Substratoberfläche heraus.

Schema: Prinzip des Plasma-Ätzens
Prinzip des Plasma-Ätzens

Strukturbildendes Ätzen ist mit Lithographie zu vergleichen. Hierbei werden bestimmte Stellen des Substrats mit einem Material beschichtet. Den anschließenden Ätzprozess überstehen diese Stellen unangetastet. So ist es möglich, z.B. in der Halbleiterherstellung, Strukturen im Mikrometer- und

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Plasma-Ätzen